Intel готова начать производство памяти MRAM

Моя цель - предложение широкого ассортимента товаров и услуг на постоянно высоком качестве обслуживания по самым выгодным ценам.

Прежде чем перейти к статье, хочу вам представить, экономическую онлайн игру Brave Knights, в которой вы можете играть и зарабатывать. Регистируйтесь, играйте и зарабатывайте!

Итак, принципиально новый вид компьютерной памяти, называемый преемником как DRAM, так и NAND и продемонстрированный в конце прошлого года компаниями Samsung и Intel, начинает обретать вид реального продукта. По крайней мере, в этом направлении сделан еще один шаг: по заявлению компании Intel, она в ближайшее время готова начать производство MRAM (Magnetoresistive Random-Access Memory) в промышленных масштабах.

Мы не будем подробно останавливаться на устройстве и принципах работы MRAM-памяти — много детальной информации вы найдете по ссылке выше. Отметим лишь ее основные характеристики. Итак, Intel использует схему «запись — проверка — запись» и двухэтапную технологию измерения тока для того, чтобы построить перпендикулярные массивы STT-MRAM (spin-torque-transfer MRAM) объемом 7 Мб, созданные по 22-нм технологии FinFET.


Схема ячейки MRAM

Будучи энергонезависимой памятью, массивы MRAM обеспечивают сохранность данных до 10 лет при температуре 200°C, выдерживают до 106 циклов перезаписи и до 1012 циклов чтения. Помимо высокой надежности, MRAM демонстрирует удивительно хороший уровень выхода продукта (всего 0,1% отбраковки), что, несомненно, скажется на себестоимости.

Приведем в табличке прочие характеристик:
Технология 22FFL FinFET
Тип ячейки 1T1MTJ
Размер ячейки 0,0486 µm2
Объем 7 Мб
Плотность (с учетом ЕСС) 10,6 Мб/мм2
Время чтения 4 нс при 0,9 В, 8 нс при 0,6 В
Время записи 10 мкс для концевого бита
Защита от перетекания Да

Технология MRAM позволит преодолеть достигнутый предел миниатюризации элементов памяти. Кроме того, MRAM может эксплуатироваться в самых различных условиях, что вкупе делает ее оптимальной для различных устройств интернета вещей. В качестве недорогой энергозависимой памяти для такого рода устройств можно использовать Resistive RAM (ReRAM) — еще один вид памяти, над которой сейчас активно работает Intel. Здесь же можно вспомнить Optane Memory — работы в этом направлении также идут полным ходом. Вот сколько видов получается. Как говорится, больше памяти, хорошей и разной.
Источник: https://habr.com/ru/company/intel/blog/444540/


Интересные статьи

Интересные статьи

Совсем недавно мы вспоминали, что, помимо всего хорошо известного прочего, Intel славен своими сетевыми разработками, технологиями и устройствами. Как выяснилось, вспомнили вовремя, буд...
Пожалуй, все java-разработчики, участвующие в коммерческих проектах рано или поздно сталкиваются с проблемой утечки памяти, влекущей за собой медленную работу приложения и почти неизб...
«Бегущий по лезвию», «Воздушная тюрьма», «Heavy Rain» — что общего между этими представителями массовой культуры? Во всех в той или иной степени присутствует древнее японское иску...
Если в вашей компании хотя бы два сотрудника, отвечающих за работу со сделками в Битрикс24, рано или поздно возникает вопрос распределения лидов между ними.
Важной возможностью любой IDE является поиск и навигация по коду. Один из часто используемых вариантов поиска на языке Java — поиск всех реализаций данного интерфейса. Часто такая функция называе...