Intel готова начать производство памяти MRAM

Моя цель - предложение широкого ассортимента товаров и услуг на постоянно высоком качестве обслуживания по самым выгодным ценам.

Итак, принципиально новый вид компьютерной памяти, называемый преемником как DRAM, так и NAND и продемонстрированный в конце прошлого года компаниями Samsung и Intel, начинает обретать вид реального продукта. По крайней мере, в этом направлении сделан еще один шаг: по заявлению компании Intel, она в ближайшее время готова начать производство MRAM (Magnetoresistive Random-Access Memory) в промышленных масштабах.

Мы не будем подробно останавливаться на устройстве и принципах работы MRAM-памяти — много детальной информации вы найдете по ссылке выше. Отметим лишь ее основные характеристики. Итак, Intel использует схему «запись — проверка — запись» и двухэтапную технологию измерения тока для того, чтобы построить перпендикулярные массивы STT-MRAM (spin-torque-transfer MRAM) объемом 7 Мб, созданные по 22-нм технологии FinFET.


Схема ячейки MRAM

Будучи энергонезависимой памятью, массивы MRAM обеспечивают сохранность данных до 10 лет при температуре 200°C, выдерживают до 106 циклов перезаписи и до 1012 циклов чтения. Помимо высокой надежности, MRAM демонстрирует удивительно хороший уровень выхода продукта (всего 0,1% отбраковки), что, несомненно, скажется на себестоимости.

Приведем в табличке прочие характеристик:
Технология 22FFL FinFET
Тип ячейки 1T1MTJ
Размер ячейки 0,0486 µm2
Объем 7 Мб
Плотность (с учетом ЕСС) 10,6 Мб/мм2
Время чтения 4 нс при 0,9 В, 8 нс при 0,6 В
Время записи 10 мкс для концевого бита
Защита от перетекания Да

Технология MRAM позволит преодолеть достигнутый предел миниатюризации элементов памяти. Кроме того, MRAM может эксплуатироваться в самых различных условиях, что вкупе делает ее оптимальной для различных устройств интернета вещей. В качестве недорогой энергозависимой памяти для такого рода устройств можно использовать Resistive RAM (ReRAM) — еще один вид памяти, над которой сейчас активно работает Intel. Здесь же можно вспомнить Optane Memory — работы в этом направлении также идут полным ходом. Вот сколько видов получается. Как говорится, больше памяти, хорошей и разной.
Источник: https://habr.com/ru/company/intel/blog/444540/#habracut

Интересные статьи

Интересные статьи

Друзья, забирайте в закладки подборку из 17 книг по Python. Подборка поможет вам освоить язык программирования с нуля или с минимальными знаниями. Готовы приступить к изучению Python? ...
Проблема памяти может возникнуть, когда в процессе выполнения программы нужно иметь большое количество объектов, особенно если есть ограничения на общий размер доступной оперативной памяти. Ниже...
Привет, Хабр! Мы ищем таланты, вернее, самых талантливых оверклокеров — для них HyperX совместно с лабораторией оверклокинга OCLab.ru запускает конкурс HyperX Memory OC Сompetition 2019. Если вы ...
Эта статья посвящена одному из способов сделать в 1с-Битрикс форму в всплывающем окне. Достоинства метода: - можно использовать любые формы 1с-Битрикс, которые выводятся компонентом. Например, добавле...
Как обновить ядро 1С-Битрикс без единой секунды простоя и с гарантией работоспособности платформы? Если вы не можете закрыть сайт на техобслуживание, и не хотите экстренно разворачивать сайт из бэкапа...