Intel представила трёхмерный многослойный CMOS-транзистор с питанием и прямым контактом с обратной стороны

Моя цель - предложение широкого ассортимента товаров и услуг на постоянно высоком качестве обслуживания по самым выгодным ценам.

Прежде чем перейти к статье, хочу вам представить, экономическую онлайн игру Brave Knights, в которой вы можете играть и зарабатывать. Регистируйтесь, играйте и зарабатывайте!

Intel на Международной конференции IEEE по электронным устройствам (IEDM) продемонстрировала технологию 3D Stacked CMOS Transistor следующего поколения, которая использует питание и прямой контакт на задней стороне для обеспечения большей производительности и масштабирования на чипах следующего поколения.

Компания также сообщила о путях масштабирования недавних прорывов в области исследований и разработок в области обратной подачи питания, таких как задние контакты, и была первой, кто продемонстрировал успешную крупномасштабную трёхмерную монолитную интеграцию кремниевых транзисторов с транзисторами из нитрида галлия (GaN) на одном и том же 300-мм процессоре.

На изображении слева показана конструкция, в которой силовые и сигнальные провода перепутаны в верхней части пластины. На изображении справа показана новая технология PowerVia — первая в отрасли реализация внутренней сети подачи питания от Intel
На изображении слева показана конструкция, в которой силовые и сигнальные провода перепутаны в верхней части пластины. На изображении справа показана новая технология PowerVia — первая в отрасли реализация внутренней сети подачи питания от Intel

«Поскольку мы вступаем в эру Ангстрема и за четыре года планируем выйти за рамки пяти узлов, продолжение инноваций становится более важным, чем когда-либо», — заявил Санджай Натараджан, старший вице-президент Intel и генеральный менеджер по исследованиям компонентов.

На IEDM 2023 исследователи Intel определили ключевые области исследований и разработок, необходимые для продолжения масштабирования за счет эффективного объединения транзисторов. Наряду с улучшением подачи питания на задней стороне и использованием новых материалов для 2D-каналов, Intel работает над тем, чтобы к 2030 году обеспечить триллион транзисторов в корпусе.

Последние исследования компании продемонстрировали возможность размещать комплементарные полевые транзисторы (CFET) вертикально с уменьшенным шагом затвора до 60 нм. Это позволяет повысить эффективность использования площади и производительность в сочетании с задним питанием и прямыми контактами.

Первая реализация внутренней подачи питания Intel PowerVia будет готова к производству в 2024 году. Также компания выпустит RibbonFET — транзисторы с нанолистом или с целым затвором, которые будут подключены к уже созданной схеме межсоединений. На IEDM 2023 компания определила пути расширения и масштабирования внутренней системы энергоснабжения за пределами PowerVia, а также ключевые технологические усовершенствования, необходимые для их реализации. 

Источник: https://habr.com/ru/news/779728/


Интересные статьи

Интересные статьи

16 октября Intel представили 14th Gen Intel Raptor Lake Refresh — новое поколение, объединяющее шесть топовых десктопных процессоров. Три из них относятся к серии K со встроенной графикой и разблоки...
В очередной раз ко мне обратился коллега из одного франчайзи 1С с просьбой развернуть Postgres + 1C двух разных версий на одном сервере. Сие ему было необходимо для безболезненного перевода некой комп...
Приветствую, уважаемые читатели. В этой статье, я хотел бы рассказать о своем опыте постройки внутренней сети не привязанной к офисному оборудованию и функционирующий при единственном усл...
Одним из самых популярных процессоров уходящего десятилетия стал Intel Core i7-2600K. Дизайн был революционным, так как он предлагал значительный скачок в производительности и эффективности о...
Иногда люди задают вопрос, который, на первый взгляд, про одно, а на самом деле про другое. Как говорится, грамотно поставленный вопрос содержит половину ответа. На днях я вернулся с конференц...